怎么理解内存时序有哪些参数

首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable)，如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：

Row-precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间。

一种参数，一般存储在内存条的SPD上。在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧?!^_^

2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。Row-active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。学习内存知识的朋友们应该有了解过一个重要概念：内存时序，那么什么是内存时序呢?有哪些参数和要点?下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：

一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置

RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。内存时序是什么