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电容器专用极板材料/导电材料
电极材料|光学材料/测温材料
半导体材料/屏蔽材料
真空电子材料/ 覆铜板材料
压电晶体材料/ 电工陶瓷材料
光电子功能材料|强电、 弱电用接点材料
激光工质|电子元器件专用薄膜材料
电子玻璃|类金刚石膜
膨胀合金与热双金属片|电热材料与电热元件
其它电子专用材料
集成电路是一种采用特殊工艺,将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件,英文为缩写为IC,也俗称芯片。
模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等元件组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路,如集成运算放大器、比较器、对数和指数放大器、模拟乘(除)法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有:放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等。模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手动的电路调试,模拟而得到,与此相对应的数字集成电路设计大部分是通过使用硬件描述语言在EDA软件的控制下自动的综合产生。
数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元、器件数量,可将数字集成电路分为小规模集成(SSI)电路、中规模集成MSI电路、大规模集成(LSI)电路、超大规模集成VLSI电路和特大规模集成ULSI)电路。小规模集成电路包含的门电路在10个以内,或元器件数不超过100个;中规模集成电路包含的门电路在10-100个之间,或元器件数在100-1000个之间;大规模集成电路包含的门电路在100个以上,或元器件数在10-10个之间;超大规模集成电路包含的门电路在1万个以上,或元器件数在10-10之间;特大规模集成电路的元器件数在10-10之间。它包括:基本逻辑门、触发器、寄存器、译码器、驱动器、计数器、整形电路、可编程逻辑器件、微处理器、单片机、DSP等。
铁心/其他电子五金件
蜂鸣器是一种一体化结构的电子讯响器,采用直流电压供电.
电子元器件常用产品的识别
电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。
1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Ω),倍率单位有:千欧
(KΩ),兆欧(MΩ)等。换算
方法是:1兆欧=1000千欧=1000000欧
电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法。
a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:472表示47×100Ω(即4.7K);104则表示100K
b、色环标注法使用最多,现举例如下:四色环电阻五色环电阻(精密电阻)
2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示:
颜色有效数字倍率允许偏差(%)
银色/x0.01±10
金色/x0.1±5
黑色0+0/
棕色1x10±1
红色2x100±2
橙色3x1000/
黄色4x10000/
绿色5x100000±0.5
蓝色6x1000000±0.2
紫色7x10000000±0.1
灰色8x100000000/
白色9x1000000000/
二、电容1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2πfc(f表示交流信号的频率,C表示电容容量)
电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法
容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10uF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法:1m=1000uF1P2=1.2PF1n=1000PF
数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。
如:102表示10×102PF=1000PF224表示22×104PF=0.22uF3、电容容量误差表
符号FGJKLM
允许误差±1%±2%±5%±10%±15%±20%
如:一瓷片电容为104J表示容量为0.1uF、误差为±5%。
三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的二极管。
1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常,把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。
3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下:
型号1N40011N40021N40031N40041N40051N40061N4007
耐压(V)501002004006008001000
电流(A)均为1
四、稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。
1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。
2、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
常用稳压二极管的型号及稳压值如下:
型号1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761
五、电感在电路中常用“L”加数字表示,如:L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈,直流电阻就是导线本身的电阻,压降很小;当交流信号通过线圈时,线圈两端将会产生自感电动势,自感电动势的方向与外加电压的方向相反,阻碍交流的通过,所以电感的特性是通直流阻交流,频率越高,线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法,色标法与电阻类似。如:棕、黑、金、金表示1uH(误差5%)的电感。电感的基本单位为:亨(H)换算单位有:1H=103mH=106uH。
六 变容二极管、变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高
频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管,的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差:
(1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。
(2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。
七、晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。
1、特点:晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有:A92、9015等型号;NPN型三极管有:A42、9014、9018、9013、9012等型号。
2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。为了便于比较,将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下,名称共发射极电路共集电极电路(射极输出器)共基极电路
输入阻抗中(几百欧~几千欧)大(几十千欧以上)小(几欧~几十欧)
输出阻抗中(几千欧~几十千欧)小(几欧~几十欧)大(几十千欧~几百千欧)
电压放大倍数大小(小于1并接近于1)大
电流放大倍数大(几十)大(几十)小(小于1并接近于1)
功率放大倍数大(约30~40分贝)小(约10分贝)中(约15~20分贝)
频率特性高频差好好
八、场效应晶体管放大器1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。两种型号的表示符号:
3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
1)电子元件:指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子,它对电压、电流无控制和变换作用,所以又称无源器件。按分类标准,电子元件可分为11个大类。
2)电子器件:指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子,对电压、电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等),所以又称有源器件。按分类标准,电子器件可分为12个大类,可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。
稳压值3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V6.2V15V27V30V75V。
光网中光电子器件的发展趋势
下一代光传送网的基本特征是超大容量,从目前各种复用技术的发展状况看,密集波分复用(DWDM)被认为是扩大网络容量和提高其灵活性的最有效途径。采用DWDM可以使容量迅速地扩大数十倍至数百倍。由于近年来市场驱动和技术突破的影响,波分复用系统发展极为迅速。因此各种新研制的光器件也都或多或少与波分复用有关。DWDM的发展思路一直是追求更高的频谱效率,一方面提高每个通道的速率,另一方面增加通道密度。在速率上,目前商用系统大多为2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系统正在实用化,预计到2004年开始商业应用,一些电信公司如阿尔卡特的实验室已进行了160Gbit/s的传输实验。在通道密度方面,通道间的波长间隙已小到25GHz,还在向12.5GHz努力,使得商用系统的总通道数现为160~240个,实验室中*达到1022个。为得到更大容量,有时不得不在上述两者之间折衷考虑,同时还要采取抑制光纤中色散、非线性效应的措施。所有这些要求都涉及到器件的高速、灵活和可靠的问题,而且最终还必须考虑低成本的问题,这使得目前新原理、新结构和新功能的器件不断涌现。
近年来随着"网络经济"泡沫的破灭,光通信产业的资本支出大为减少,作为光通信产业链较底端的光电子器件产业面临非常大的挑战。据估计,2002年美国通信用光电子器件的资本支出将在2001年锐减29%的基础上继续降低24%。另一方面,前期对市场盲目乐观的估计造成了大量光电子器件积压,据估计此状况将持续到2003年。在这种市场环境下,光电子器件的研究与发展的趋势主要表现在以下几方面:
(1)从光电子器件实现的功能来看,使光网络容量更大、更智能仍是光电子器件发展方向,但研究的侧重点有所改变。在系统传输容量方面,光电子器件的研究方向将注重降低传输系统的每公里每比特的成本,而不再一味追求单纤传输速率的突破。光纤传输容量的提高有三种方案:扩展光波段、增加光通道密度和提高通道速率。在器件级的研究上,拉曼光放大器与EDFA结合的宽带放大器被认为是系统扩展至L波段时*应用潜力的光电子器件;波长锁定激光器、大功率包层泵浦EDFA和高密度的群组滤波器将是光通道间隔降低到50GHz、25GHz甚至12.5GHz的高光通道密度传输系统中的关键器件。40Gbit/s高速光调制器和接收器、动态色散补偿器和偏振模色散补偿器等光电子器件将是信道速率为40Gbit/s的系统中的关键器件。这些关键光电子器件的性能与价格将直接影响未来光传输系统的设计方案选取,但近期重点产品仍在10Gbit/s系列上,而2.5Gbit/s产品将呈逐步下降的走向。
(2)小型化和集成化正成为光电子器件保持竞争力的一个新的趋势。随着光电子器件在光传输设备中的比例越来越大,对光电子器件的小型化要求日益显现。使设备能少占机房的面积和少消耗能源,能有效地降低网络的运行成本。光电子器件的小型化要求还促进了集成技术的发展。光电集成技术可以将光子元件与它的驱动电子芯片集成在一起。平面波导集成技术则可以将光开关、可调衰减器和波分复用/解复用器等无源器件集成在一起,在一块芯片实现子系统功能的系统与分立器件组成的系统相比,既大大减小了体积,还降低封装的成本。在小型化光器件的开发中,将激光器/探测器等光器件与微电子芯片组装成一体,形成具有多种功能模块的发展趋势正在明显加快。模块化能消除寄生参量的影响从而提高性能,并能节省后道组装的工序和成本。它还促进了相关产业界的合作和标准化,如一年前由多家企业就10Gbit/s 转发器的光、电和机械性能标准达成的协议,大大推动了这类器件性能价格比的提高。在功能上,前向纠错(FEC)、热插拔已普遍为高端产品所采纳。在尺寸上,与传统的插盘相比,用集成的转发器模块能使体积缩小到原来的1/10,功耗下降2/3而价格却只有原来的1/3。主要在城域网和接入网中使用的光收发一体模块也在由DUPLEX SC型向更小封装的SFF 模块发展。与DUPLEX SC封装相比,它在插盘上占的体积缩小了1/2。在光放大器方面,新的EDFA模块尺寸只有7cm′9cm′1.2cm (长′宽′高),却能提供24dB的增益和15dBm的功率输出。模块化还进一步促进了微型封装激光器和无致冷激光器的进步。现在不仅是光信号源用激光器,功率型的泵浦激光器也取得了无致冷技术的突破。120mW以下980nm无致冷激光器已有商品提供,由于省掉致冷器,EDFA模块的功耗从4.5W减少到不足1W,体积也大大缩小。值得注意的是,近来掺铒波导光放大器(EDWA)也被集成于平面波导中,以克服平面波导器件插损大的缺点,从而使制造功能更新、更复杂的平面波导器件成为可能。
(3)光电子器件组装的自动化技术将是降低光电子器件成本的关键。手工组装是限制光电子器件的成本进一步下降的主要因素。自动化组装可以降低人力成本、提高产量和节约生产场地,因此光电子器件组装的自动化技术的研究将是降低光电子器件成本的关键。由于光电子器件自动化组装的精度在亚微米量级,自动化组装生产一直被认为是很困难的事,但近来有很大突破。国外的学术期刊已多次报道在VCSEL、新型光学准直器件和自对准等技术进步基础上,光器件自动化组装实现的突破,同时专门针对自动化组装的光电子器件设计也正在兴起。2002年OFC展览会上有十多家自动封装、自动熔接设备厂商参展,熔接、对准、压焊等许多过去认为只能由人工操作的工艺现在都能由机械手进行。据ElectroniCast预测,到2005年自动化组装与测试设备的销量将达17.1亿美元,光电子器件产值中的70%~80%将由全自动或半自动化组装生产, 可以说自动化生产线的出现是光电子行业开始走向成熟的标志和发展的必然。
在电子电路中,除了接触最多的电子元器件( 例如电阻,电感,电容,二极管,三极管,集成电路等) 以外,还有其他常用电子元器件,如电声器件,开关及接插件等。
电容器1 固定电容器的检测
A 检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。
B 检测10PF~0 01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要些 可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。
C 对于0 01μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
2 电解电容器的检测
A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量。
B 将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。
C 对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极。
D 使用万用表电阻挡,采用给电解电容进行正、反向充电的方法,根据指针向右摆动幅度的大小,可估测出电解电容的容量。
3 可变电容器的检测
A 用手轻轻旋动转轴,应感觉十分平滑,不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象。
B 用一只手旋动转轴,另一只手轻摸动片组的外缘,不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器,是不能再继续使用的。
C 将万用表置于R×10k挡,一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端,另一只手将转轴缓缓旋动几个来回,万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中,如果指针有时指向零,说明动片和定片之间存在短路点;如果碰到某一角度,万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值,说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。
电感器、变压器1 色码电感器的的检测 将万用表置于R×1挡,红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端,此时指针应向右摆动。根据测出的电阻值大小,可具体分下述三种情况进行鉴别:
A 被测色码电感器电阻值为零,其内部有短路性故障。
B 被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系,只要能测出电阻值,则可认为被测色码电感器是正常的。
2 中周变压器的检测
A 将万用表拨至R×1挡,按照中周变压器的各绕组引脚排列规律,逐一检查各绕组的通断情况,进而判断其是否正常。
B 检测绝缘性能 将万用表置于R×10k挡,做如下几种状态测试:
(1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值;
(2)初级绕组与外壳之间的电阻值;
(3)次级绕组与外壳之间的电阻值。
上述测试结果分出现三种情况:
(1)阻值为无穷大:正常;
(2)阻值为零:有短路性故障;
(3)阻值小于无穷大,但大于零:有漏电性故障。
3 电源变压器的检测A 通过观察变压器的外貌来检查其是否有明显异常现象。如线圈引线是否断裂,脱焊,绝缘材料是否有烧焦痕迹,铁心紧固螺杆是否有松动,硅钢片有无锈蚀,绕组线圈是否有外露等。
B 绝缘性测试。用万用表R×10k挡分别测量铁心与初级,初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值,万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则,说明变压器绝缘性能不良。
C 线圈通断的检测。将万用表置于R×1挡,测试中,若某个绕组的电阻值为无穷大,则说明此绕组有断路性故障。
D 判别初、次级线圈。电源变压器初级引脚和次级引脚一般都是分别从两侧引出的,并且初级绕组多标有220V字样,次级绕组则标出额定电压值,如15V、24V、35V等。再根据这些标记进行识别。
E 空载电流的检测。
(a) 直接测量法。将次级所有绕组全部开路,把万用表置于交流电流挡(500mA,串入初级绕组。当初级绕组的插头插入220V交流市电时,万用表所指示的便是空载电流值。此值不应大于变压器满载电流的10%~20%。一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在100mA左右。如果超出太多,则说明变压器有短路性故障。
(b) 间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一个10 /5W的电阻,次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后,用两表笔测出电阻R两端的电压降U,然后用欧姆定律算出空载电流I空,即I空=U/R。F 空载电压的检测。将电源变压器的初级接220V市电,用万用表交流电压接依次测出各绕组的空载电压值(U21、U22、U23、U24)应符合要求值,允许误差范围一般为:高压绕组≤±10%,低压绕组≤±5%,带中心抽头的两组对称绕组的电压差应≤±2%。G 一般小功率电源变压器允许温升为40℃~50℃,如果所用绝缘材料质量较好,允许温升还可提高。
H 检测判别各绕组的同名端。在使用电源变压器时,有时为了得到所需的次级电压,可将两个或多个次级绕组串联起来使用。采用串联法使用电源变压器时,参加串联的各绕组的同名端必须正确连接,不能搞错。否则,变压器不能正常工作。I.电源变压器短路性故障的综合检测判别。电源变压器发生短路性故障后的主要症状是发热严重和次级绕组输出电压失常。通常,线圈内部匝间短路点越多,短路电流就越大,而变压器发热就越严重。检测判断电源变压器是否有短路性故障的简单方法是测量空载电流(测试方法前面已经介绍)。存在短路故障的变压器,其空载电流值将远大于满载电流的10%。当短路严重时,变压器在空载加电后几十秒钟之内便会迅速发热,用手触摸铁心会有烫手的感觉。此时不用测量空载电流便可断定变压器有短路点存在。
电子信息技术是当今新技术革命的核心,电子元器件是发展电子信息技术的基础。了解造成元器件失效的因素,以提高可靠性,是电子信息技术应用的必要保证。
开展电子元器件失效分析,需要采用一些先进的分析测试技术和仪器。
1 光学显微镜分析技术
2 红外分析技术
3 声学显微镜分析
4 液晶热点检测技术
5 光辐射显微分析技术
6 微分析技术
电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技
术,二十世纪发展最迅速,应用最广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。*代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了*只半导体三极管,它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点,很快地被各国应用起来,在很大范围内取代了电子管。五十年代末期,世界上出现了*块集成电路,它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上,使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路,从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。由于,电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性,所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。电了元器件在质量方面现在国际上面有中国的CQC认证,美国的UL和CUL认证,德国的VDE和TUV以及欧盟的CE等国内外认证,来保证元器件的合格。
电子元器件是元件和器件的总称。电子元件:指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子,它对电压、电流无控制和变换作用,所以又称无源器件。电子器件:指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子,对电压、电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等),所以又称有源器件。按分类标准,电子器件可分为12个大类,可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术,二十世纪发展最迅速,应用最广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。
国务院发布的《“十二五”国家战略性新兴产业发展规划》,到2015年力争使战略性新兴产业占国内生产总值(GDP)的比重从2010年的不到4%提高到8%左右,到2020年这个比例争取达到15%。同时,“十二五”期间,新一代信息技术产业销售收入年均增长20%以上。这里的“新一代信息技术”包括:超高速光纤与无线通信、物联网、云计算、数字虚拟、先进半导体和新型显示等。其中,与电子产业相关的核心产业有:集成电路产品设计、先进和特色芯片制造工艺技术,先进封装、测试技术以及关键设备、仪器,新一代半导体材料和器件工艺技术。
由此可见,未来的三至五年,是电子元器件行业发展的黄金时期,有国家政策的很好支持,同时科技研究的进步也会促进电子元器件行业向更深的层次发展。
未来电子元器件行业发展趋势:
*,在集成电路设计方面,国产芯片和软件的集成应用的强化。期待到2015年,集成电路设计业产值国内市场比重由5%提高到15%。
第二,在显示技术方面,要积极有序发展大尺寸膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)、加快推进有机发光二极管(OLED)、三维立体(3D)、激光显示等新一代显示技术的研发和产业化。
第三,在LED产业方面,攻克LED、OLED产业共性关键技术和关键装备,提高LED、OLED照明的经济性。
第四,在新型元器件方面,掌握智能传感器和新型电力电子器件及系统的核心技术,提高新兴领域专用设备仪器保障和支撑能力,发展片式化、微型化、绿色化的新型元器件。
综上所述,在未来几年,电子元器件行业的发展值得关注,这是一个与我们生活密切相关的高科技行业,它将在未来几年大放异彩。
一、元件:工厂在加工产品是没有改变分子成分产品可称为元件,不需要能源的器件。
它包括:电阻、电容、电感器。(又可称为被动元件PassiveComponents)
(1)电路类器件:二极管,电阻器等等
(2)连接类器件:连接器,插座,连接电缆,印刷电路板(PCB)
二、器件:工厂在生产加工时改变了分子结构的器件称为器件
器件分为:
1、主动器件,它的主要特点是:(1)自身消耗电能(2)还需要外界电源。
2、分立器件,分为(1)双极性晶体三极管(2)场效应晶体管(3)可控硅 (4)半导体电阻电容。
电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻.电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等。
电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关.
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。
作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中,电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1n4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。
电感器在电子制作中虽然使用得不是很多,但它们在电路中同样重要。我们认为电感器和电容器一样,也是一种储能元件,它能把电能转变为磁场能,并在磁场中储存能量。电感器用符号L表示,它的基本单位是亨利(H),常用毫亨(mH)为单位。它经常和电容器一起工作,构成LC滤波器、LC振荡器等。另外,人们还利用电感的特性,制造了阻流圈、变压器、继电器等。
继电器是一种电子控制器件,它具有控制系统(又称输入回路)和被控制系统(又称输出回路),通常应用于自动控制电路中,它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。
汽车继电器/信号继电器
固态继电器/ 中间继电器
电磁类继电器/干簧式继电器
湿簧式继电器/热继电器
步进继电器 /大功率继电器
磁保持继电器/ 极化继电器
温度继电器 /真空继电器
时间继电器/混合电子继电器
延时继电器/他继电器
半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号
开关二极管/ 普通二极管
稳压二极管/肖特基二极管
双向触发二极管/快恢复二极管
光电二极管/阻尼二极管
磁敏二极管/整流二极管
发光二极管/激光二极管
变容二极管 /检波二极管
其他二极管
3、三极管
三极管在中文含义里面只是对三个脚的放大器件的统称,我们常说的三极管,可能是如图所示的几种器件,
可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇
电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的*英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西,实际翻译的时候是*不可以翻译成Triode的,否则就麻烦大咯,严谨的说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇!
带阻三极管/磁敏三极管
开关晶体管 / 闸流晶体管
中高频放大三极管/低噪声放大三极管
低频、高频、微波功率晶体管/开关三极管
光敏三极管/ 微波三极管
高反压三极管/ 达林顿三极管
光敏晶体管 /低频放大三极管
功率开关晶体管/其他三极管
4、电容器
电容器通常简称其为电容,用字母C表示。
定义1:电容器,顾名思义,是‘装电的容器’,是一种容纳电荷的器件。英文名称:capacitor。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制电路等方面。
定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。
云母电容器/铝电解电容器
真空电容器/漆电容器
复合介质电容器/玻璃釉电容器
有机薄膜电容器/导电塑料电位器
红外热敏电阻/气敏电阻器
陶瓷电容器/钽电容器
纸介电容器/ 电子电位器
磁敏电阻 电位器/湿敏电阻器
光敏电阻 电位器 /固定电阻器
可变电阻器/ 排电阻器
热敏电阻器/熔断电阻器
其它电阻/电位器
连接器,即CONNECTOR。国内亦称作接插件、插头和插座。一般是指电连接器。即连接两个有源器件的器件,传输电流或信号。
端子/线束/卡座
IC插座/光纤连接器
接线柱/电缆连接器
印刷板连接器/电脑连接器
手机连接器/ 端子台/接线座
其他连接器
用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上,紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。
合成碳膜电位器/直滑式电位器
贴片式电位器/属膜电位器
|实心电位器/单圈/多圈电位器
单连、双连电位器/ 带开关电位器
线绕电位器/ 其他电位器
8、传感器
能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置,通常由敏感元件和转换元件组成
电磁传感器/敏感元件
光电传感器/光纤传感器
气体传感器/湿敏传感器
位移传感器/视觉、图像传感器
其他传感器
能产生电感作用的元件统称为电感原件,常常直接简称为电感.
磁珠/电流互感器/电压互感器
电感线圈/固定电感器/可调电感器
线饶电感器/非线饶电感器
阻流电感器(阻流圈、扼流圈)
其他电感器
电声器件(electroacoustic device):指电和声相互转换的器件,它是利用电磁感应、静电感应或压电效应等来完成电声转换的,包括扬声器,耳机,传声器,唱头等。
扬声器/传声器|拾音器
送话器/受话器|蜂鸣器
12、频率元件分频器/振荡器/ 滤波器
谐振器/ 调频器/鉴频器
其他频率元件
电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术,二十世纪发展最迅速,应用最广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。
电子元器件
*代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了*只半导体三极管,它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点,很快地被各国应用起来,在很大范围内取代了电子管。五十年代末期,世界上出现了*块集成电路,它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上,使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路,从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。由于,电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性,所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。
在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。电子元器件的发展历史实际上就是电子工业的发展历史。
1906年,李·德福雷斯特发明了真空三极管,用来放大电话的声音电流。此后,人们强烈地期待着能够诞生一种固体器件,用来作为质量轻、价廉和寿命长的放大器和电子开关。1947年,点接触型锗晶体管的诞生,在电子器件的发展史上翻开了新的一页。但是,这种点接触型晶体管在构造上存在着接触点不稳定的致命弱点。在点接触型晶体管开发成功的同时,结型晶体管论就已经提出,但是直至人们能够制备超高纯度的单晶以及能够任意控制晶体的导电类型以后,结型晶体管材真正得以出现。1950年,具有使用价值的最早的锗合金型晶体管诞生。1954年,结型硅晶体管诞生。此后,人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展,各种性能优良的电子器件相继出现,电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。主播形成作为高技术产业代表的半导体工业。
由于社会发展的需要,电子装置变的越来越复杂,这就要求了电子装置必须具有可靠性、速度快、消耗功率小以及质量轻、小型化、成本低等特点。自20世纪50年代提出集成电路的设想后,由于材料技术、器件技术和电路设计等综合技术的进步,在20世纪60年代研制成功了*代集成电路。在半导体发展史上。集成电路的出现具有划时代的意义:它的诞生和发展推动了铜芯技术和计算机的进步,使科学研究的各个领域以及工业社会的结构发生了历史性变革。凭借卓越的科学技术所发明的集成电路使研究者有了更先进的工具,进而产生了许多更为先进的技术。这些先进的技术有进一步促使更高性能、更廉价的集成电路的出现。对电子器件来说,体积越小,集成度越高;响应时间越短,计算处理的速度就越快;传送频率就越高,传送的信息量就越大。半导体工业和半导体技术被称为现代工业的基础,同时也已经发展称为一个相对独立的高科技产业。据《中国电力电子元器件制造行业产销需求与投资分析报告前瞻》数据显示,2012年7月份,A股市场共发行新股20只,比6月份增加5只,其中,沪市主板3家,中小板7家,创业板10家。7月份新股融资规模为123.96亿元,比6月份的92.49亿元上升29.7%。7月份单只股票平均募集资金6.2亿元,与6月份基本持平。7月份首发的20只新股整体发行市盈率为26.02倍,创下IPO重启以来近三年的新低。伴随着股市的整体低迷,新股发行市盈率大多低于行业平均市盈率,三高现象明显收敛。近期发行市盈率*科恒股份,仅为12.94倍,远低于电子元器件制造行业最近一个月平均滚动市盈率。
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